エピウエーハー
AlN(窒化アルミ二ウム) / サファイヤ基板
AlN on Sapphire
AlN(窒化アルミ二ウム) / サファイヤ基板
AlN on Sapphire
◇窒化アルミニウム(AlN)の応用：
1:AlNは絶縁性が高く熱伝導率が高い「窒化物セラミックス」として，ヒート・シンクなどに使うことがほとんど
だった。
2:絶縁性樹脂の熱伝導性を高めるために，充填剤（フィラー）として用いる場合もある。
3:SiC基板上にGaN結晶をエピタキシャル成長させる際の中間層材料としても一般的である。
4:AlN結晶の層の上にGaN結晶を形成する方が，SiC上に直接形成するより結晶欠陥の少ないGaN結晶が得られる。
◇窒化アルミニウム(AlN)の製品特性：
III-V窒素エピタキシャル並びに高周波応用としての窒化アルミニウム。
1:標準グレード：>90%有効面積
2:研究グレード：>80%有効面積
◇長所
1:天然のAlN上の成長
2:簡単な核構成プロセス
3:デバイスパラメータの改良
4:お手持ちの成長機械上におけるエピ･生産性の増加
5:原料処理費と生産性増加に対するエピ・コストの低減
1:AlNは絶縁性が高く熱伝導率が高い「窒化物セラミックス」として，ヒート・シンクなどに使うことがほとんど
だった。
2:絶縁性樹脂の熱伝導性を高めるために，充填剤（フィラー）として用いる場合もある。
3:SiC基板上にGaN結晶をエピタキシャル成長させる際の中間層材料としても一般的である。
4:AlN結晶の層の上にGaN結晶を形成する方が，SiC上に直接形成するより結晶欠陥の少ないGaN結晶が得られる。
◇窒化アルミニウム(AlN)の製品特性：
III-V窒素エピタキシャル並びに高周波応用としての窒化アルミニウム。
1:標準グレード：>90%有効面積
2:研究グレード：>80%有効面積
◇長所
1:天然のAlN上の成長
2:簡単な核構成プロセス
3:デバイスパラメータの改良
4:お手持ちの成長機械上におけるエピ･生産性の増加
5:原料処理費と生産性増加に対するエピ・コストの低減
◇製品特性：
アルミニウムの窒化物。バンドギャップが6.0eVと大きいことから，半導体に用いれば理論的には波長の短い紫外
LEDやレーザ素子が得られる。研究開発段階では，AlN結晶を半導体として用いた発光ダイオード（LED）の制作
例があり，波長210nmの短波長の発光が確認されている。従来の紫外LEDの開発は，最も開発が進んだGaNを
基にしたLEDの発光層に，Alを加えるなどしてバンドギャップを大きくし，発光波長を短くする手法を用いていた。
純度の高いAlN結晶でLEDを形成する技術を確立できれば，従来とは逆にGaを発光層に加えていくことで，
任意の波長の紫外LEDを比較的容易に作製できる可能性がある。
アルミニウムの窒化物。バンドギャップが6.0eVと大きいことから，半導体に用いれば理論的には波長の短い紫外
LEDやレーザ素子が得られる。研究開発段階では，AlN結晶を半導体として用いた発光ダイオード（LED）の制作
例があり，波長210nmの短波長の発光が確認されている。従来の紫外LEDの開発は，最も開発が進んだGaNを
基にしたLEDの発光層に，Alを加えるなどしてバンドギャップを大きくし，発光波長を短くする手法を用いていた。
純度の高いAlN結晶でLEDを形成する技術を確立できれば，従来とは逆にGaを発光層に加えていくことで，
任意の波長の紫外LEDを比較的容易に作製できる可能性がある。
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パラメータ
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仕様値
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サイズ/ 厚さ
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φ50.8mm ± 0.1mm / 4 ~ 5um
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材料
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サファイア(片面研磨)
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面方位/Orientation
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C-面(0001)±0.5°
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伝導タイプ
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半絶縁
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結晶品質
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XRD FWHM of (0002) < 350 arcsec
XRD FWHM of (10-12) < 450 arcsec |
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除外領域
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< 2mm
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表面粗さ
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Ra < 1.5nm (10um x 10 um)
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梱包
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クラス100の環境のクリーン室にて窒素雰囲気中で容器に梱包
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◇仕様: AlN on Sapphire基板
注意：その他仕様、在庫状況についてはお問い合わせ下さい。
仕 様